DWD 반도체 이야기

6.16.3 비휘발성 (플래시) 메모리  > SRAM과 DRAM과 다르게 NVM(Non Volatile Memory)는 전원이 연결되지 않아도 Data를 유지한다.  > 크기가 작고, 전력 소모가 작고 그리고 움지기이는 부분이 없기 때문에 기존 저장 장치 하드디스크와 CD를 대체하고 있다.    > 가장 많이 사용되고 있는 소자는 Floating Gate Memoery이다. 이는  MOSFET에 구조를 변경하면 얻을 수 있다.   > MOSFET Gate와 절연막 사이에 절연막을 추가하면 된다.  > 높은 전압을 Gate와 절연막 사이에 가해주면 전자들이 절연막으로 Tunneling 되고 Trap 된다.   > Trap 된 전자들에 의해 Vt가 올라가게 된다.   > 낮은 Vt와 높은 Vt 상태는 각각 ..

6.16.3 DRAM > SRAM은 Cell에 Bit 데이터 저장하기 위해 6개의 Transistor를 사용한다.   > DRAM은 cell에 Bit 데이터를 저장하기 위해 한 개의 Transistor와 1개의 Capacitor를 사용한다.   > DRAM은 SRAM 대비 단위 면적 당 Bit 수가 크고 단가도 낮다.   > Cell Capacitor는 한 쪽과 접지되어 있어 1과 0 상태는 Cell Capacitor를 vdd 도는 0으로 충전하는 것으로 나타낸다.   > 1을 쓰기 위해선 WL에 전압을 가해줘서 Transistor를 켜주고 Bit Line에 Vdd를 가해줘서 C에 Vdd 충전 시킨다.   > 0을 쓰기 위해선 BL에 0V를 가해주면 된다.   > 좌측 상단 데이터를 읽는다고 하면 BL1..

6.16.1 SRAM  > SRAM은 Cell에 Bit 데이터 저장하기 위해 6개의 Transistor를 사용한다.   > 두 개의 인버터가 교차 되어있다.   > M1, M3는 왼쪽 인버터를 구성하고 M2, M4는 오른쪽 인버터를 구성한다.   > 왼쪽 인버터의 출력은 오른쪽 인버터의 입력에 연결된다.   > 오른쪽 인버터의 출력은 다시 왼쪽 인버터의 입력에 연결된다.   > 왼쪽 인버터가 High면 오른쪽 인버터가 Low가 된다  > 이 Low 출력이 이번에는 왼쪽 인버터의 출력을 High로 만들어준다.   > 이 양성 패드백의 저장 상태를 안정적이게 만든다.   > 왼쪽 인버터를 Low로 바꾸고 오륹고 인버터의 출력을 high로 바꾸면 두 번째 안정한 상태가 된다.   > 이 Cell은 1, 1로 ..

6.16.0 SRAM, DRAM, 비휘발성 (플래쉬) 메모리 소자들 > 생산되는 대부분의 Transistor들은 메모리 반도체에 사용된다.   > 컴퓨터 프로세서 칩의 대부분을 메모리가 차지할 수 있고 메모리 소자들은 메모리 기능만 수행하는 독립형 메모리 칩도 있다.   > 메모리 소자는 휘발성, 비휘발성으로 나뉜다,   > 휘발성 메모리는 SRAM(Static RAM), DRAM(Dynamic RAM), 비휘봘성 메모리는 Flash 메모리가 대표적이다.   > 기존 하드디스크는 새 데이터를 추출하기 위해 판독 헤어돠 디스크를 움직이기 때문에 상다한 지연시간이 있다.   > 반면 RAM(Random Access Memory)는 모든 데이터들이 언제든지 접근이 가능하다.   > 비휘발성은 전원이 끊어져도 ..