DWD 반도체 이야기

6.8.1  속도 포화 > MOSFET IV Curve의 약점은 Vds 가 Vdsat 보다 더 커지게 되면 Qinv=0이 되는 Pinch Off 영역에 의해 유한한 전류가 흐른다.   > 전계가 작을 때 캐리어의 드리프트 속도는 μΕ 이다.   > 전계에 비례하고 캐리어의 운동 에너지가 증가한다.  > 하지만 동시에 광학 포논 에너지(Optical Phonon energy) 보다 커지면 속도가 줄어든다.   > 광학 포논은 높은 주파수를 가지는 진동으로 포논의 한 종류이며, Lattice Scattering으로 이해해도 무방할 것 같다.   > Pinch Off 영역엔 Channel이 없다고 봐도 무방하며 Channel에 비해 길이가 짧기 때문에 Field가 매우 크게 걸린다.   > Field가 큰 만..

6.6.1 기본적인 MOSFET IV 모델 > MOSFET에 Vds를 걸어줬을 때 Ids 값은 다음과 같다. > W은 채널 폭, μ_ns는 Mobility, Vds/L은 채널 평균 전계이다. > 그리고 Ids는 Qinv라고 볼 수 있는 Coxe(Vgs-Vt-m/2 Vds)에 비례한다. > Vds가 매우 작으면 m/2 Vds는 무시될 수 있으며 Ids는 Vds에 비례하는 저항처럼 동작한다. > Vds가 커지면 평균 Qinv가 감소한다. (Drain 쪽 Vc는 Vd) > Qinv 감소하면 Vds에 의해 커지는 Ids (dIds/dVds)가 0이 되는 Vds가 존재한다. > 특정 Vds를 Vdsat이라고 하며 IV 특성 곡선에서 Vds Vdsat이면 Saturation 영역으로 나눠진다. > Ids 식에 Vd..

6.5.1 MOSFET의 Qinv > MOSFET이 켜진 상태에서 Drain에 전압이 가해졌을 때 반전층(채널)의 전압은 거리 x의 함수가 된다. > x=0에서 채널 전압 Vc =0이고 x=L에선 Vc = Vd이다. > 채널의 중간 지점의 전압 Vc에선 산화막 커패시터를 가로지르는 전압이 더 작다. > Drain 전압에 영향으로 Drain에 가까울술고 Vc는 커지며 공핍층 커패시터를 가로지르는 전압이 더 커진다. > 따라서 Vc가 높을수록 (Drain에 가까울수록) 반전층 즉, 커패시터 전극에 더 작은 수의 전자가 존재한다. > Vds=0일 때 Qinv 식에 Vgs 대신 Vgs - Vcs, Vsb대신 Vsb+Vcs(x) 대입하면 다음과 같다. > m은 통상적으로 1.2이며 1로 많이 가정한다. > 상대적..