DWD 반도체 이야기

4.18.0 쇼트키 다이오드 > 바이어스가 가해지지 않았을 때 금속->실리콘과 실리콘-> 금속으로 넘어가는 전자의 수는 같다. > 따라서 순전류는 0이 된다. > 열전자 방출 이온에 따라서 I0는 다음과 같다. > A는 다이오드 면적이고, K는 리차드슨 상수이다. > 그림 1 (b)에 전압이 가해지면 금속에서 본 장벽은 변하지 않음으로 I_MS = -I0로 동일하다. > 반면에 I_SM은 장벽이 qV만큼 작아지기 때문에 전류는 e^(qV/kT)만큼 증가한다. > 역 바이어스가 가해졌을 땐 I_SM 장벽이 높아져서 전자가 이동하지 못하고 I_MS는 -I0로 동일하다. > IV Curve는 그림1 (d)와 같고 PN 접합의 IV Curve와 유사성을 갖는다. Reference -. Chenming Calvi..

4.17.0 열전자 방출 이론 > 열전자 방출 이론을 통해서 Si에서 금속으로 흐르는 전자에 의한 전류를 정확하게 예측할 수 있다. > 열전자 방출은 금속들을 가열할 때 금속 표면으로부터 전자가 방출되는 현상. > 쇼트키 효과는 열전자 방출 전류가 온도에 의해 포화를 갖지만 전계를 가하면 그만큼 방출 전류가 증가한다. >금속-실리콘 접합에서 전압 V가 가해졌을 때 에너지 밴드 다이어그램은 그림 1과 같다. > 경계면에서 전자 농도 n은 다음과 같다. (페르미 디락 분포 사용) > 평균 전자 운동 에너지 v_thx는 다음과 같다. (이 식이 어떻게 유도된지 모르겠음ㅠ) > Si 에서 금속으로 이동하는 전자의 전류 밀도 J를 구하면. (근데 왜 금속 쪽으로 전류가 반만 이동할까?) > 해당 식을 통해서 전류..