DWD 반도체 이야기

7.2.0  문턱 전압 이하 전류 > Ion을 증가하면 회로의 동작 속도가 증가한다.   > Ion을 증가시키려면 낮은 Vt를 사용하면 된다.   > 무작정 Vt를 작게 만들어서 Ion을 증가시킬 순 없다.   > Vt가 작아질수록 MOSFET의 Off 상태에서 흐르는 누설 전류 (Off Leakage)가 Ioff가 발생하기 때문이다.  > Ioff가 매우 작은 nano scale의 단위여도 Transistor의 숫자는 1억 개가 넘어가기 때문에 총 누설 전류는 매우 클 수 있다.   > 누설 전류가 크면 휴대폰이 대기 모드에서 배터리 소모를 크게하여 금방 방전될 수 있다.    > 그림 7.2 (a)는 Vt 이하 전류 그림이다.   > Log의 Id와 Vgs의 관계를 나타내고 Vgs가 Vt 이하에서 I..

7.1.2  스트레인 실리콘과 또 다른 혁신 > 세대가 증가할수록Ion은 증가한다.   > 90nm 기술 노드에서 급격한 Ion 개선을하였고 이는 Strined Silicon 기술 덕분이다.   > 반도체에 기계적 Strained을 만들어주면 캐리어의 이동도는 증가하거나 감소한다.   > Strained Silicon은 Silicon의 격자 상수를 바꾸고 슈뢰딩거 파동방정식에 주어진 E-K 관계를 바꾼다.   > E-K 관계는 캐리어의 유효질량과 이동도를 결정한다.   > Strained Silicon을 만드는 방법은 여러가지가 있고 그 중하나는 Ge를 이용하는 방법이다.   > Hole의 이동도는 채널에 압축하는 형태의 Strain이 주어질 때 증가한다.   > Si Sub에 Gate가 있으면 양 쪽에..

7.1.1 스케일링을 가능하게 하는 혁신 > 미래에 예상되는 시장 수요를 만족하기 위해 필요한 Transistor와 회로 성능에 대한 의견을 일치하기 위해 반도체 관계자들은 일 년에 몇 번씩 회의를 한다.   > 회의를 통해 ITRS(International Techology Roadmap for Semiconductor) 자료를 발간한다.   > ITRS는 단지 목표를 설정하고 도전적인 문제를 제시할 뿐 해결책을 제공하지 않는다.  > 단, 원하는 회로의 성능 및 반도체를 만들기 위해선 설계, 공정, 설비 등 모든 상황이 맞아떨어져야 하기 때문에 방향 설정 및 Road Map 설정은 필요하다.    >  ITRS 기술 예측 일부를 편집한 내용이다.   > HP(High Performance)는 고성능 ..

7.1.0 소자 축소화 가격, 속도 및 전력 소모   > 1965년 이후 45년 동안 ㅇ반도체 메노리 1 Bit 당 가격은 1 억 배 감소했다.  > 논리 게이트 가격도 유사하게 급락했다.  > 가격 감소의 큰 이유는 축소화이다 (Miniaturization).  > 고든 무어 (Gordon Moore)는 하나 칩 위에 있는 소자 수는 18~24개월 마다 2배가 된다고 확인하였다.   > 이런 증가 추세를 무어의 법칙이라고 한다.   > 소자의 선폭은 기술 세대에 따라 줄어든다 이를 기술 노드 (Technology Node)라고 한다.   > 기술 노드가 증가할 때 선폭은 일반적으로 70%가 감소한다.   > 선폭이 70%가 감소하면 면적은 1.49 즉 50%가 감소한다.   > 면적이 반으로  줄면 2..