DWD 반도체 이야기

4.11.0 다이오드 소신호 모델 > PN 다이오드는 DC 전류 Idc에 의해 바이어스 된다. > 다이오드 전압 or 전류 값이 조금 변화할 때 다이오드가 얼마냐 반응하는지 분석하는데 소신호 모델이 사용된다. > 병렬 RC 회로가 있고 qV/kT >>1 이라고 가정한다. > 컨덕턴스는 다음과 같다. > 상온에서 컨덕턴스는 Idc/26mV. > 전하 축적에서 사용된 시간의 함수로 정의된 전류 I를 이용한 소신호 커패시턴스는 다음과 같다. > 해당 커패시턴스는 확산 커패시턴스 혹은 전하 축적 커패시턴스라고 한다. > 이는 전하 축적과 관련있고 축적은 확산과 관련이 있기 때문이다. > 공핍층 Cdep 도 존재하지만 Cdiff가 Dominant하다. > 해당 커패시턴스는 시간에 의한 함수로 정의되고 값이 높으면..

4.10.0 전하 축적 > PN 다이오드에 정방향 바이어스가 가해지면 과잉 전자와 정공들이 PN 다이오드에 존재하게 된다. > 이 현상은 전하 축적이라고 한다. > I는 Q에 비례하며 시간 비례 상수를 통행 식을 나타낼 수 있다. > τ_s 는 전하 축적 시간이라고 부른다. > 상대적으로 적게 도핑된 쪽에서의 재결합 수명이다. > (개인적으로 이해한 부분) -. 해당 전하 축적은 공핍 영역에 의한 Capacitance 전하 축적이 아님. -. 확산에 의해 소수 캐리어인 전자 정공들이 축적 되는것이다. 4.10.0 Charge Accumulation •When a forward bias is applied to a PN diode, excess electrons and holes accumulate wit..