DWD 반도체 이야기

6.15.3 MOSFET 플리커 잡음 > 플리커 잡음 (Flicker Noise)는 주파수 f에 반비례하는 잡음이다.   > 발생 이유는 MOSFET Gate 내 존재하는 Trap에 의해 전자들이 임의로 포획되고 방출되기 때문이다.   > 채널 전류에 참여하는 전자가 포획되고 방출되면서 전류가 흔들리게 된다.   > 매우 작은 MOSFET에선 Trap이 하나만 활성화되는 경우가 있다.   > 그림 6.26 (b) 처럼 특정 평균 주기를 가지고 높고 낮은 전류 레벨 사이에서 Ids가 흔들리게 된다.   > 이러한 잡음을 Random Telegraph Noise라고 한다.   > 큰 MOSFET의 경우 많은 Trap들이 존재하고 짧은 시간 상수를 가지면서 전자를 포획하고 방출하게 된다.   > 이러한 Tra..

6.15.2 MOSFET 열 잡음 > MOSFET의 열 잡음은 (Thermal Noise) 채널의 저항에 의해 발생한다.   > 채널 잡음 전압은 Gate Capacitor에 의해 전류가 유도된다.   > 채널 잡음 전류가 게이트를 통해 들어오게 된고 Device 내부 Transconductance에 의해 곱해져서 출력단에 두 번째 잡음 전류를 만들게 된다.   > 이러한 효과는 그림 6.25 (b)의 소스에서 채널 잡음 전압을 나타냄으로써 모델링 된다.  > 실제 잡음 전압이 소스에서 발생한 것이 아닌 채널을 통해 배분된 것으로 보면 된다.   > Gate 잡음과 채널 잡음 사이에 상쇄되는 부분이 있어 Gate 임피던스를 최적화하면 잡 음을 최소화할 수 있다.   >  그림 6.25 (c)처럼 소스, ..

6.15.0 MOSFET 잡음 > Noise란 원하는 신호를 방해하는 모든 것을 말한다.   > 그중 서로 연결된 신호들에 의해 발생하는 Conductive, Inductive 간섭 그리고 Cross Talk는 외부 (External Noise) Noise라고 한다.   > 다른 종류로는 소자 잡음(Device Noise)이라 하는 전자 소자들의 고유 Noise가 있다.   > 이 Noise는 소자 내부 전자 캐리어들의 Random 한 움직임 대문에 발생한다.   > 이는 소자 내 전압과 전류의 흔들림 Fluctuation을 발생시킨다.   > 회로 설계 시 고려 사항 중 하나가 Noise이며 전력 소모, 회로 크기도 포함된다.  6.15.1 저항의 열 잡음  > 저항에 오실로프를 연결해서 저항을 측정하..