1.9 n과 p의 일반적 이론 > Donor, Acceptor 에너지 준위를 Ed, Ea라고 한다. > Ed는 보통 Ef 위에 위치하게 되면 거의 모든 Donor 원자들이 이온화가 되었다고 한다. > Ef는 전자가 있을 확률이므로 Ed가 Ef에 있으면 Donor의 전자들은 거의 비어있다. > Donor 원자의 여분의 전자들을 잃어버렸다고 생각하면 된다. > N ytpe 기준 반도체에 Doping하고 Dopant가 거의 이온화 시키기 위해서는 이온화 에너지가 Fermi Level보다 높게 위치하면 된다. > P type은 Ea 가 Ef보다 낮은 에너지 준위를 가지면 된다. (Valence Band와 가깝게) > 반도체 내 전하를 띤 종류를 4가지 존재한다. > 전자 n, 정공 p, Donor 양이온 Nd,..
1.2.1 전자와 정공의 결합 모델 > Si 원자는 4개의 가장 가까운 이웃 Si 원자들에 둘러 쌓여있다. > Si의 최외각 하나의 전자는 이웃한 Si 최외곽 하나의 전자와 공유 결합을 한다. > 이 구조가 반복되면 남는 전자 즉 자유 전자가 없다. (단결정 가정) > 물론 이론상으로 그렇고 절대 온도에서야 전류가 흐를 수 있게 만드는 전자가 없겠지만. > RT(Room Temperature) 상온에서는 열 에너지를 어느정도 받기 때문에 공유 전자들의 일부분이 자유전자가 된다. > 자유 전자가 격자 사이라 자유롭게 이동하게 되면 전도된다고 하고 전류를 운반할 수 있다. > 그럼 격자에서 벗어난 전자는 빈 구멍이 생기게 되는데 이걸 정공(Hole)이라고 한다. > 자유 전자가 격자 사이로 움직이고 격자의 ..
- Total
- Today
- Yesterday
- PN Junction
- semiconductor
- Pinch Off
- 양자 웰
- CD
- 문턱 전압
- C언어 #C Programming
- Blu-ray
- Acceptor
- Donor
- EBD
- Energy band diagram
- Optic Fiber
- 열전자 방출
- pn 접합
- Solar cell
- Diode
- MOS
- Thermal Noise
- Fiber Optic
- Laser
- 광 흡수
- Charge Accumulation
- fermi level
- channeling
- Semicondcutor
- 쇼트키
- Depletion Layer
- 반도체
- Reverse Bias
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | |||||
3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |