DWD 반도체 이야기

3.5.1 이온 주입 > 이온 주입은 Dopant 이온 원자를 keV~MeV의 높은 에너지로 가속시켜서 Si 표면에 발사해서 주입하는 방식이다. > 주입된 이온은 결정 속으로 들어가서 Si 원자 격자 자리를 추방 시키고 그 자리를 대신한다. > 주입된 모든 이온은 Si 격자에 위치하지 않는다. > 따라서 어닐(Anneal) 열처리 공정을 통해 손상된 격자를 회복하고 Dopant가 Si 원자 위치로 자리잡게 하는 (Dopant Activation)을 진행한다. > Activation된 Dopant들은 Donor, Acceptor로 작용한다. > 이온 주입된 이온 농도는 가우시안 분포를 갖는다. > 이온 주입에서 Dose는 주입되는 이온으 수이며 Energy는 이온을 가속하는 에너지 즉 얼마나 깊이 주입할지..

3.2.1 실리콘의 산화 > 실리콘의 산화물은 SiO2이다. > SiO2는 여러 목적으로 사용되며 그중 하나는 도펀트를 주입시킬 때 마스크 역할이 있다. > 단결정 Si 표면 위에 도펀트 Implantation을 하게 되면 Si 결정 사이로 도펀트 원자가 원하지 않는 잎으로 빠져나가는 Channeling 효과를 줄을 수 있다. > Channeling을 줄일 수 있는 이유는 단결정 Si 위에 형성된 SiO2 막질은 Si 보다 더 Amorphous 하기 때문이다. > SiO2는 실리콘 MOSFET에선 필수이다. > FET(Field Effect Transistor)를 구현하기 위해 Metal 과 Si 사이에 절역막은 필수이며 SiO2가 보통 사용된다. > 또한, 배선을 여러 Layer로 구성할 때 서로 다른..