7.5 Wdep을 줄이는 방법

7.5.0 Wdep을 줄이는 방법

 > MOSFET L이 작아지면 Vt Roll Off가 발생한다. 

 

 > 짧아진 L을 사용할 수 있게 하기 위해선 Vt Roll Off를 제어해야 한다. 

 

 > Wdep를 작게 하면 Vt Roll Off를 제어할 수 있다. 

 

 > Wdep 는 기판 농도 Nsub의  1/(Nsub)^-1에 비례한다. 

 

 > 기판 농도를 높여서 Wdep를 줄 수 있다.

 

 > 아래 식에서 기판 농도를 Wdep로 표현한 식에서 보면 Tox 또한 Vt  Roll Off를 제어할 수 있는 Parameter이다. 

 

 > Tox 또한 작아져야 짧은 L을 유지할 수 있다. 

 

 > Wdep를 줄일 수 있는 다른 방법은 역경사 채널 도핑 프로파일을 도입하면 된다. 

 

 > 아래는 도핑의 농도가 높게 표면엔 농도가 낮게 한다. 

 

 > 역경사 Retrograde Profile은 Wdep를 작게할 수 있고 표면 Channel에서 이온화된 불순물에 의한 산란을 줄일 수 있다. 

 

 >  Wdep를 작게 하는것도 있지만 Body에 전압을 걸어 Body Effect를 이용한 Vt를 제어할 수 있다. 

 

그림 7.5 Energy diagram of a steep-retrograde doped MOSFET at the threshold condition.