7.6 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET 2

7.6.1 금속 소오스/드레인을 가진 MOSFET

 > 금속으로된 Source/Drain을 가지면 N+, P+ Si 보다 10대 달하는 전도성을 갖기 때문에 낮은 저항을 가질 수 있다. 

 

 > 하지만 금속과 실리콘 접합으로 Schottky 접합이되어 높아진 Barrier로 인해 Source에서 Channel로 전자가 쉽게 흐르지 못한다. 

 

 > 이는 Id를 낮게하는 결과를 낳는다. 

 

 > 아래 그림 7.7 처럼 Vgs = 0 일 때 EBD는 Si Source/Drain과 유사하다. 

 

 > Vgs > Vt 조건에선 Source/Drain 부근 Barrier가 높게 형성되어 Source/Drain의 Id를 떨어뜨린다. 

 

 > 이런 문제를 해결하기 위해선 낮은 Barrier 접합이 사용되어야 한다. 

 

 > 금속과 Channel 사이에 얇은 N 영역이 추가되어야 한다. 

 

그림 7.7 (a) Metal source/drain is the ultimate way to reduce the increasingly important parasitic resistance; (b) energy band diagrams in the off state; (c) in the on state there may be energy barriers impeding current flow. These barriers do not exist in the conventional MOSFET (d) and must be minimized.