7.6 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET

7.6.0 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET

 > Source/Drain 모식도를 보면 N+ 와 Channel 사이에 약하게 도핑된 연장 부분이 존재한다. 

 

 > LDD(Lightly Doped Drain)으로 불리며 Mainly HCI(Hot Carrier Injection)을 예방하기 위해 존재한다. 

 

 > 해당 도핑된 영역을 만들어주기 위해 Gate 양 옆에 유전체 Spacer가 형성되어야 한다. 

 

 > 유전체 Spacer 형성 전에 LDD와 Drain/Source에 N 도핑해준다. 

 

 > Spacer 형성 후 N 도핑위에 더 높은 농도로 도핑을 해주어 LDD와 Source/Drain의 농도 차이를 만든다. 

 

 > Vt Roll Off 를 줄이기 위해 Source/Drain 접합 깊이가 얕아야 한다. 

 

 > Doping 후 Annealing 시 불필요한 확산을 막기 위해 아주 짧은 0.1ns, 0.1us와 같은 Flash Annealing, Laser Annealing을 사용한다. 

 

 > 또한 유전체 Spacer는 기생 Capacitance를 생성하기 때문에 가능한 작아야 한다. 

 

그림 7.6 Cross-sectional view of a MOSFET drain junction. The shallow junction extension next to the channel helps to suppress the Vt roll-off.