6.1 MOSFET 소개 (Introduction to the MOSFET)

6.1.0 MOSFET 소개

 > MOSFET 구조는 MOS Capacitor 구조에 정공을 공급하는 소스(Source)와 정공을 빨아내는 드레인(Drain) 두 개에 PN 접합이 존재한다. 

 

 > FET(Field Effect Transistor)는 게이트가 산화막을 통해 전기장이 가해져 트랜지스터를 켜거나 끄는 동작을 할 수 있다. 

 

 > 트랜지스터는 신호원에 대한 높은 입력 저항, 낮으 소모 전력 그리고 많은 전류를 공급할 수 있는 이점을 가진 소자이다. 

 

 > 그림 6.1의 소스/드레인 옆의 빗금친 부분은 Shallow Trench Isolation이다. 

 

 > 이는 산화막으로 되어있으며 소스/드레인의 N+, P+에서 다른 소자로 전류가 누설되지 않도록 한다.

 

 > MOSFET IV 특성을 보면 게이트 전압에 따라서 소자가 커지거나 꺼질 수 있다.

 

 > 이를 통해 MOSFET 소자는 하나의 on-off 스위치로 생각할 수 있다. 

 

그림 6.1 (a) Basic MOSFET structure and (b) IV characteristics.

 

Reference 

-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)