DWD

7.1.1 스케일링을 가능하게 하는 혁신 > 미래에 예상되는 시장 수요를 만족하기 위해 필요한 Transistor와 회로 성능에 대한 의견을 일치하기 위해 반도체 관계자들은 일 년에 몇 번씩 회의를 한다.   > 회의를 통해 ITRS(International Techology Roadmap for Semiconductor) 자료를 발간한다.   > ITRS는 단지 목표를 설정하고 도전적인 문제를 제시할 뿐 해결책을 제공하지 않는다.  > 단, 원하는 회로의 성능 및 반도체를 만들기 위해선 설계, 공정, 설비 등 모든 상황이 맞아떨어져야 하기 때문에 방향 설정 및 Road Map 설정은 필요하다.    >  ITRS 기술 예측 일부를 편집한 내용이다.   > HP(High Performance)는 고성능 ..

7.1.0 소자 축소화 가격, 속도 및 전력 소모   > 1965년 이후 45년 동안 ㅇ반도체 메노리 1 Bit 당 가격은 1 억 배 감소했다.  > 논리 게이트 가격도 유사하게 급락했다.  > 가격 감소의 큰 이유는 축소화이다 (Miniaturization).  > 고든 무어 (Gordon Moore)는 하나 칩 위에 있는 소자 수는 18~24개월 마다 2배가 된다고 확인하였다.   > 이런 증가 추세를 무어의 법칙이라고 한다.   > 소자의 선폭은 기술 세대에 따라 줄어든다 이를 기술 노드 (Technology Node)라고 한다.   > 기술 노드가 증가할 때 선폭은 일반적으로 70%가 감소한다.   > 선폭이 70%가 감소하면 면적은 1.49 즉 50%가 감소한다.   > 면적이 반으로  줄면 2..

6.16.3 비휘발성 (플래시) 메모리  > SRAM과 DRAM과 다르게 NVM(Non Volatile Memory)는 전원이 연결되지 않아도 Data를 유지한다.  > 크기가 작고, 전력 소모가 작고 그리고 움지기이는 부분이 없기 때문에 기존 저장 장치 하드디스크와 CD를 대체하고 있다.    > 가장 많이 사용되고 있는 소자는 Floating Gate Memoery이다. 이는  MOSFET에 구조를 변경하면 얻을 수 있다.   > MOSFET Gate와 절연막 사이에 절연막을 추가하면 된다.  > 높은 전압을 Gate와 절연막 사이에 가해주면 전자들이 절연막으로 Tunneling 되고 Trap 된다.   > Trap 된 전자들에 의해 Vt가 올라가게 된다.   > 낮은 Vt와 높은 Vt 상태는 각각 ..

6.16.3 DRAM > SRAM은 Cell에 Bit 데이터 저장하기 위해 6개의 Transistor를 사용한다.   > DRAM은 cell에 Bit 데이터를 저장하기 위해 한 개의 Transistor와 1개의 Capacitor를 사용한다.   > DRAM은 SRAM 대비 단위 면적 당 Bit 수가 크고 단가도 낮다.   > Cell Capacitor는 한 쪽과 접지되어 있어 1과 0 상태는 Cell Capacitor를 vdd 도는 0으로 충전하는 것으로 나타낸다.   > 1을 쓰기 위해선 WL에 전압을 가해줘서 Transistor를 켜주고 Bit Line에 Vdd를 가해줘서 C에 Vdd 충전 시킨다.   > 0을 쓰기 위해선 BL에 0V를 가해주면 된다.   > 좌측 상단 데이터를 읽는다고 하면 BL1..

6.16.1 SRAM  > SRAM은 Cell에 Bit 데이터 저장하기 위해 6개의 Transistor를 사용한다.   > 두 개의 인버터가 교차 되어있다.   > M1, M3는 왼쪽 인버터를 구성하고 M2, M4는 오른쪽 인버터를 구성한다.   > 왼쪽 인버터의 출력은 오른쪽 인버터의 입력에 연결된다.   > 오른쪽 인버터의 출력은 다시 왼쪽 인버터의 입력에 연결된다.   > 왼쪽 인버터가 High면 오른쪽 인버터가 Low가 된다  > 이 Low 출력이 이번에는 왼쪽 인버터의 출력을 High로 만들어준다.   > 이 양성 패드백의 저장 상태를 안정적이게 만든다.   > 왼쪽 인버터를 Low로 바꾸고 오륹고 인버터의 출력을 high로 바꾸면 두 번째 안정한 상태가 된다.   > 이 Cell은 1, 1로 ..

6.16.0 SRAM, DRAM, 비휘발성 (플래쉬) 메모리 소자들 > 생산되는 대부분의 Transistor들은 메모리 반도체에 사용된다.   > 컴퓨터 프로세서 칩의 대부분을 메모리가 차지할 수 있고 메모리 소자들은 메모리 기능만 수행하는 독립형 메모리 칩도 있다.   > 메모리 소자는 휘발성, 비휘발성으로 나뉜다,   > 휘발성 메모리는 SRAM(Static RAM), DRAM(Dynamic RAM), 비휘봘성 메모리는 Flash 메모리가 대표적이다.   > 기존 하드디스크는 새 데이터를 추출하기 위해 판독 헤어돠 디스크를 움직이기 때문에 상다한 지연시간이 있다.   > 반면 RAM(Random Access Memory)는 모든 데이터들이 언제든지 접근이 가능하다.   > 비휘발성은 전원이 끊어져도 ..

6.15.3 MOSFET 플리커 잡음 > 플리커 잡음 (Flicker Noise)는 주파수 f에 반비례하는 잡음이다.   > 발생 이유는 MOSFET Gate 내 존재하는 Trap에 의해 전자들이 임의로 포획되고 방출되기 때문이다.   > 채널 전류에 참여하는 전자가 포획되고 방출되면서 전류가 흔들리게 된다.   > 매우 작은 MOSFET에선 Trap이 하나만 활성화되는 경우가 있다.   > 그림 6.26 (b) 처럼 특정 평균 주기를 가지고 높고 낮은 전류 레벨 사이에서 Ids가 흔들리게 된다.   > 이러한 잡음을 Random Telegraph Noise라고 한다.   > 큰 MOSFET의 경우 많은 Trap들이 존재하고 짧은 시간 상수를 가지면서 전자를 포획하고 방출하게 된다.   > 이러한 Tra..