6.3 표면 이동도와 고이동도 FET (Surface Mobilities and High-Mobility FETs) (3)

6.3.3 HMET

 > MOSFET 표면의 도펀트들은 불순물 산란을 일으켜서 전자 이동도가 열화 된다. 

 

 > MOSFET은 전도 채널을 만들기 위해 도핑에 의지하지 않는다.

 

 > GaAs Sub으로 MOSFET 처럼 도핑에 의존하지 않고 채널을 형성할 수 있다. 

 

 > GasAs 기판 위 GaAlAs 에픽택시 층을 길러서 MOS 구조로 만들 수 있다. 

그림 6.8 (a) The basic HEMT structure  (b) The energy diagram

 

 > GaAlAs는 GaAs보다 큰 에너지 밴드갭 Eg를 갖기 때문에 산화막 같은 역할을 한다. 

 

 > 채널 전자는 N+ Source에서 공급된다. 

 

 > 계면은 에픽텍시 구조로 되어있어 Si-SiO2 표면보다 더 매끄러워 표면 충돌에 의한(표면 산란) 이동도 저하가 없다. 

 

 > 해당 소자를 HEMT(High Electron Mobility Transistor)라고 하며 마이크로웨이브 통신, 위성 TV 수신기 등에 활용된다. 

 

 

Reference 

-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)