6.3 표면 이동도와 고이동도 FET (Surface Mobilities and High-Mobility FETs) (4)

6.3.3 JFET

그림 6.8 Schematic of a Schottky gate FET called MESFET.

 

 

 > 그림 6.8 MESFET의 쇼트키 접합 대신 P+N 접합으로 대체된 소자를 JFET(Junction Field Effect Transistor)라고 한다. 

 

 > P+ 게이트는 회로 연결을 위해 금속에 연결된다. 

 

 > 역박향 게이트 접압이 걸리면 공핍층이 커지고 전도 채널을 수축시킨다. 

 

 > 이러한 방법으로 JFET 전류가 조절된다. 

 

 > MOSFET 전 바이폴라 트랜지스터로 IC가 만들어졌는데 입력 전류를 소모하는 단점이 있었음. 

 

 > JFET는 입력이 역방향된 다이오드이므로 작은 입력 전류와 커패시턴스를 얻을 수 있음. 

 

 > 기존 IC의 바이폴라 트랜지스터와 같이 만들어질 수 있다. 

Reference 

-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)