7.8 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET

7.8.0 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET

 > MOSFET이 작아지면서 Vt Roll에 덜 민감한고 기존 소자보다 축소화할 수 있는 소자가 필요하다. 

 

 > 그러기 위해선 Gate와 Channel 사이의 Capacitance를 최대화하고 

 

 > Channel과 Drain 사이 Capacitance를 최소화하여야 한다. 

 

 > Gate와 Channel 사이의 Capacitance를 키우기 위해선 Tox(Oxide 두께)를 얇게해야 한다. 

 

 > Tox를 무한정 얇게 만들 수 없다. 

 

 > 공정의 어려움도 있지만 Gate와 Body 사이에 Leakage가 발생할 수 있다. 

 

 > 또한, 전자의 제어는 Si 표면에서 가능하고 표면에서 떨어진 곳에선 다른 누설전류 경로가 있다. 

 

 > 이런 경로에선 Gate보단 Drain 영향이 클 수 있다. 

 

 > Channel과 Drain 사이 Capacitance를 최소화하기 위해선 Wdep(공핍 두께), Xj(Drain/Source 두께) 줄여야한다. 

 

 > 줄이는것도 한계가 있다. 

 

 > 이러한 한계를 극복하기 위한 MOSFET 구조가 있다. 

 

 > UTB(Ultra Thin Body) 와 Multi Gate MOSFET이다. 

 

그림 7.9 The drain could still have more control than the gate along another leakage current path that is some distance below the Si surface.