7.8 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET 3

7.8.2 FinFET 멀티게이트 MOSFET

 > Channel 표면 아래 누설 경로를 제거하는 또 다른 방법은 Mulit Gate이다. 

 

 > Channel 양쪽에 Gate를 형성하여 Gate보다 먼 곳에서 누설전류가 생기는 것을 방지한다. 

 

 > 이는 Wdep(공핍 두께) 와 Xj(Source/Drain 두께)를 줄여 Vt Roll Off를 억제할 수 있다. 

 

 > MOSFET Lg가 수 nm까지 줄일 수 있다. 

 

 > 양 쪽의 Gate가 동일한 전압이 가해지기 때문에 Body가 완전 공핍되며 

 

 > Ioff는 아주 작다. 

 

 > 또한 Gate 개수에 따라서 Channel이 형성되어 Ion은 더 커진다. 

 

 > Gate의 개수가 많아질수록 좋다. 

 

 > Body 3면을 둘러싸도록 Si를 Fin 구조를 만든 FinFET 구조가 있으며 

 

 > Body를 전체적으로 달 둘러쌓은 Nano Wire 구조도 있다. 

7.12 A schematic sketch of a double-gate MOSFET with gates connected.

 

7.13 Variations of FinFET. Tall FinFET has the advantage of providing a large W and therefore large Ion while occupying a small footprint. Short FinFET has the advantage of less challenging lithography and etching. Nanowire FET gives the gate even more control over the transistor body by surrounding it. FinFETs can also be fabricated on bulk Si substrates.