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5.4 문턱 조건 및 문턱 전압
> Gate 전압을 공핍 전압보다 더 증가하면 Gate 쪽 밴드 다이어그램은 더 내려간다.
> 특정한 Gate 전압에 도달하면 Si-SiO2 계면에서 Ef가 Ec와 충분히 가까워져 포면은 공핍에서 반전 조건에 도달한다.
> 반전이란 P형에서 N형으로 즉, 표면에 전자의 수가 매우 많은 상태로 바뀐 것이다.
> 이 전압 조건을 문턱 전압이라고 하고 표면에서 전자의 농도와 Bulk에서 도핑 농도 Na와 같아진다.
> 따라서 A = B이고 C = D 이다. (그림 1 참고)
> Ei는 밴드 갭 중간 즉, Ec와 Ev의 중간 부근에 그려진다.
> 문턱 조건에서 밴드가 휘는 정도를 ∅_st라고 하고 Nc=Nv라고 가정하면 ∅_st에 대한 식을 얻을 수 있다.
> 문턱 전압 기준으로 Gate 전압에 대한 식으로 표현하면 다음과 같다.
Reference
-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)
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