티스토리 뷰
5.3 표면 공립
> Vg가 Vfb보다 큰 양의 값을 가지면 그림 1과 같이 Gate 쪽의 밴드 다이어그램은 아래로 밀려난다.
> Si 표면에서 Ef는 Ec와 Ev와 멀기 때문에 전자나 정공의 밀도가 매우 작다.
> 이러한 상황을 표면 공핍, 해당 영역을 공핍 영역, 공핍 영역의 폭을 Wdep이라고 한다.
> 커패시턴스 식과 포아송 식을 이용한 Wdep를 활용하면 ∅_s에 대한 식을 얻을 수 있다.
> 해당 식을 Gate 전압 식과 결합하면 다음과 같은 관계식을 얻을 수 있다.
> 위 방정식으로부터 Wdep의 값이 정해지면 Vox와 ∅_s 값을 구할 수 있다.
Reference
-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)
반응형
'Semiconductor(반도체)' 카테고리의 다른 글
| 5.5 문턱 조건 이후 강반전(Strong Inversion) (1) | 2023.12.05 |
|---|---|
| 5.4 문턱 조건 및 문턱 전압(Threshold Voltage) (1) | 2023.12.04 |
| 5.2 표면 축적(Surface Accumulation) (0) | 2023.12.02 |
| 5.1 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압(Flat Band Condition) (0) | 2023.12.01 |
| 5.0 MOS 커패시터(MOS Capacitor) (0) | 2023.11.30 |
반응형
공지사항
최근에 올라온 글
최근에 달린 댓글
- Total
- Today
- Yesterday
링크
TAG
- Depletion Layer
- 문턱 전압
- Energy band diagram
- C언어 #C Programming
- Donor
- 열전자 방출
- channeling
- 광 흡수
- fermi level
- MOS
- Thermal Noise
- Laser
- PN Junction
- 양자 웰
- 반도체
- CD
- Optic Fiber
- Acceptor
- semiconductor
- Reverse Bias
- EBD
- Blu-ray
- pn 접합
- Solar cell
- 쇼트키
- Fiber Optic
- Semicondcutor
- Diode
- Pinch Off
- Charge Accumulation
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
| 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
| 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
| 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
| 27 | 28 | 29 | 30 |
글 보관함