4.19 쇼트키 다이오드 응용(Schottky Diode Application)

4.19.0  쇼트키 다이오드 응용 

 > 쇼트키 다이오드와 PN 다이오드가 동일한 IV 식을 갖는다. 

 

 > 하지만 쇼트키 다이오드의 전류는 쇼트키 베리어 값 ∅_B에 의해 따라 다르다.

 

 > 전형적인 PN 다이오드보다 10^3~10^8 배 큰 전류를 가질 수 있다. 

그림 1. 같은 면적을 갖는 PN 다이오드와 쇼트키 다이오드의 도식적인 IV 특성

 

 > 이 특성으로 인해 저전압이며 고전류 용도에 PN 다이오드 보다 더 많이 활용된다. 

 

 > PN 다이오드는 0.8의 전압 강하가 발생하고 쇼트키 다이오드는 0.3V이다. 

 

 > 낮은 전압 강화를 위해서 낮은 ∅_B이 필요하다. 

 

 > 하지만 ∅_B 값이 너무 작아질 수 없으며 너무 작아지면 역 바이어스 일 때 전력 손실과 열이 과잉 발생된다. 

 

 > PN 다이오드와 쇼트키 다이오드의 또 다른 차이점은 소수 캐리어들은 무시 가능하다는 점이다. 

 

  > 따라서 더 높은 준파수에서 동작할 수 있다. 

 

Reference 

-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)