4.18 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)

4.18.0  쇼트키 다이오드 

그림 1. 쇼트키 다이오드

 

> 바이어스가 가해지지 않았을 때 금속->실리콘과 실리콘-> 금속으로 넘어가는 전자의 수는 같다. 

 

 > 따라서 순전류는 0이 된다. 

 

 

> 열전자 방출 이온에 따라서 I0는 다음과 같다. 

 

> A는 다이오드 면적이고, K는 리차드슨 상수이다. 

 

 > 그림 1 (b)에 전압이 가해지면 금속에서 본 장벽은 변하지 않음으로 I_MS = -I0로 동일하다. 

 

 > 반면에 I_SM은 장벽이 qV만큼 작아지기 때문에 전류는  e^(qV/kT)만큼 증가한다. 

 

> 역 바이어스가 가해졌을 땐 I_SM 장벽이 높아져서 전자가 이동하지 못하고 I_MS는 -I0로 동일하다. 

 

> IV Curve는 그림1 (d)와 같고 PN 접합의 IV Curve와 유사성을 갖는다. 

 

Reference 

-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)