티스토리 뷰
반응형
4.17.0 열전자 방출 이론
> 열전자 방출 이론을 통해서 Si에서 금속으로 흐르는 전자에 의한 전류를 정확하게 예측할 수 있다.
> 열전자 방출은 금속들을 가열할 때 금속 표면으로부터 전자가 방출되는 현상.
> 쇼트키 효과는 열전자 방출 전류가 온도에 의해 포화를 갖지만 전계를 가하면 그만큼 방출 전류가 증가한다.
>금속-실리콘 접합에서 전압 V가 가해졌을 때 에너지 밴드 다이어그램은 그림 1과 같다.
> 경계면에서 전자 농도 n은 다음과 같다. (페르미 디락 분포 사용)
> 평균 전자 운동 에너지 v_thx는 다음과 같다. (이 식이 어떻게 유도된지 모르겠음ㅠ)
> Si 에서 금속으로 이동하는 전자의 전류 밀도 J를 구하면. (근데 왜 금속 쪽으로 전류가 반만 이동할까?)
> 해당 식을 통해서 전류 밀도는 ∅_B - V 함수로 되어있고 장벽이 작거나 전압이 많이 가해질수록 전류가 더 많이 흐른다.
Reference
-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)
반응형
'Semiconductor(반도체)' 카테고리의 다른 글
| 4.19 쇼트키 다이오드 응용(Schottky Diode Application) (0) | 2023.11.27 |
|---|---|
| 4.18 쇼트키 다이오드(Schottky Diode) (0) | 2023.11.26 |
| 4.16 쇼트키 장벽(Schottky Barrier) (0) | 2023.11.19 |
| 4.15 광 다이오드 (0) | 2023.11.14 |
| 4.14 다이오드 레이저 3 (1) | 2023.11.13 |
반응형
공지사항
최근에 올라온 글
최근에 달린 댓글
- Total
- Today
- Yesterday
링크
TAG
- EBD
- Semicondcutor
- pn 접합
- Thermal Noise
- 양자 웰
- Pinch Off
- Donor
- 쇼트키
- Solar cell
- PN Junction
- 반도체
- Energy band diagram
- MOS
- Blu-ray
- Diode
- Acceptor
- CD
- Reverse Bias
- C언어 #C Programming
- Depletion Layer
- Laser
- fermi level
- 문턱 전압
- semiconductor
- 열전자 방출
- Optic Fiber
- Fiber Optic
- Charge Accumulation
- 광 흡수
- channeling
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | |||||
| 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
| 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
| 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
| 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
글 보관함