4.10 전하 축적

4.10.0 전하 축적 

 

 > PN 다이오드에 정방향 바이어스가 가해지면 과잉 전자와 정공들이 PN 다이오드에 존재하게 된다. 

 

 > 이 현상은 전하 축적이라고 한다. 

 

 > I는 Q에 비례하며 시간 비례 상수를 통행 식을 나타낼 수 있다. 

 

 >  τ_s 는 전하 축적 시간이라고 부른다. 

 

 > 상대적으로 적게 도핑된 쪽에서의 재결합 수명이다. 

 

 > (개인적으로 이해한 부분)

  -. 해당 전하 축적은 공핍 영역에 의한 Capacitance 전하 축적이 아님. 

  -. 확산에 의해 소수 캐리어인 전자 정공들이 축적 되는것이다. 

 

 

4.10.0 Charge Accumulation

•When a forward bias is applied to a PN diode, excess electrons and holes accumulate within the PN diode.

 

•This phenomenon is called charge accumulation.

 

•The current is proportional to Q and can be expressed through a time constant.

 

 

•τ_s is referred to as the charge accumulation time.

 

•It is the recombination lifetime in the less-doped region.

 

•(Personally understood points)

 - When a PN junction is formed, a depletion region is created, and in the equilibrium state, the depletion region is       electrically neutral.

 - This charge accumulation is not the capacitance charge accumulation caused by the depletion region.

 - It occurs due to the diffusion of minority carriers, electrons, and holes, within the semiconductor material.

 

Reference 

-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)