DWD 반도체 이야기

7.5.0 Wdep을 줄이는 방법 > MOSFET L이 작아지면 Vt Roll Off가 발생한다.   > 짧아진 L을 사용할 수 있게 하기 위해선 Vt Roll Off를 제어해야 한다.   > Wdep를 작게 하면 Vt Roll Off를 제어할 수 있다.   > Wdep 는 기판 농도 Nsub의  1/(Nsub)^-1에 비례한다.   > 기판 농도를 높여서 Wdep를 줄 수 있다.  > 아래 식에서 기판 농도를 Wdep로 표현한 식에서 보면 Tox 또한 Vt  Roll Off를 제어할 수 있는 Parameter이다.   > Tox 또한 작아져야 짧은 L을 유지할 수 있다.   > Wdep를 줄일 수 있는 다른 방법은 역경사 채널 도핑 프로파일을 도입하면 된다.   > 아래는 도핑의 농도가 높게 표면엔 농..

4.4.1 커패시턴스-전압 특성 > 커패시턴스는 두 평행한 전도체 판이 겹치는 면적 A와 평행판 사이의 유전율 ε에 비례하고 평행판 사이 거리 d에 반비례 한다. (C = εA/d) > PN 접합의 공핍층은 전기적으로 중성이기 때문에 유전층 역할을 하고 P와 N 반도체는 평행한 전도체 판을 갖는 커패시터로 모델링할 수 있다. > Wdep는 공핍층의 Width 이고 A는 PN 접합의 면적이다. > 커패시턴스 Cdep는 소자와 회로에 필요하지 않은 용량성 부하가 될 수 있다. (ex. RC Delay) d > Cdep는 접합의 면적을 줄이거나 Wdep를 증가시켜 낮출 수 있다. > Wdep는 PN 접합에 역 전압 Vr을 가해주거나 도핑 농도를 줄이면 증가시킬 수 있다. > 도핑 농도 낮은 곳의 Wdep는 크..