DWD 반도체 이야기

6.3.1 표면 이동도 > 트랜지스터의 전류를 크게 하여 전자 회로의 커패시턴스를 빠르게 충전 및 방전하여 높은 회로 속도를 얻어야 한다. > MOSFET의 전류를 결정하는 요인은 표면 반전층 내에서 전자/정공의 이동도이다. > Vds가 인가되었을 때 MOSFET에서 흐르는 전류 Ids는 다음과 같다. > W는 채널 폭, Qinv는 반전층의 전하 밀도, E는 채널 전계, L은 채널 길이, μ_ns는 표면 이동도이다. > 표면 이동도는 μ_ns 채널 위아래 전계의 Eb, Et 평균값의 함수이다. > 공핍층을 한정하여 Eb 식을 정리하면 다음과 같다. > 공핍층과 반전층을 포함해서 식을 정리하면 Et는 다음과 같다. > μ_ns는 Eb와 Et의 평균값이고 경험적으로 (Et+1.5Eb)/2의 함수이다. > 해..

2.5.1 아인슈타인 관계식 > 열 평형 상태에서는 Ef (페르미 레벨)은 일정하다. > 그림 1. 에서 n type으로 왼쪽이 오른쪽보다 더 많이 도핑되어 있다. > 도핑이 더 많이 되어 있는 왼쪽의 Ec는 Ef에 가깝다. > 따라서 Ec는 일정하지 않기 때문에 전계가 오른쪽으로 작용한다. > 하지만 반도체는 평형 상태이기 때문에 전류 밀도 J는 0 이다. > 이를 통해서 D(확산 계수) 와 𝝁(모빌리티) 관계식을 구할 수 있다. > 이 관계식을 아인슈타인 관계식이라고 하며 D, 𝝁 중 하나만 알면 다른 하나를 구할 수 있다. 2.5.1 The Einstein Relationship > In a state of thermal equilibrium, the Fermi level (Ef) remains c..

2.2.1 Mobility > 열 에너지에 의한 캐리어는 충돌과 산란으로 인해 평균 속도는 0이다. (전류가 흐르지 않는다) > 전기장이 반도체에 가해지면 평균 속도가 0이 아니다. (전류가 흐른다) > 전기장에 의해서 캐리어가 움직이는 속도를 드리프트 속도(Drift Velocity)라고 한다. > 드리프트 속도를 구하는 방법은 전기장에 의해 발생하는 운동량 (qE * t)과 전체 드리프트 운동량 (mv) 관계식을 통해 구할 수 있다. > t는 캐리어가 충돌하느 평균 자유 시간이고 m 은 캐리어의 mass 이다. > μ는 캐리어의 모빌리티(Mobility)를 뜻하며 이동도를 의미한다. > 모빌리티가 높을수록 캐리어의 속도는 빠르다. > 전자의 모빌리티는 (-) 음의 부호를 붙인다. 이유는 전기장 반대로..