7.9 출력 컨덕턴스

7.9.0 출력 컨덕턴스 

 > 출력 컨덕턴스(Output Conductance)는 트랜지스터 전압이득을 제한한다. 

 

 > 출력 컨덕턴스 g_ds는 Idsat/Vds 기울기이다. 

 

 > Vds > Vdsat 조건에서 Idsat은 완전히 포화된다. 

 

 > 하지만 실제로 완전히 포화되지 않고 Vds에 따라 약간 증가하는 경향을 보인다. 

 

 > Idsat의 완전한 포화를 위해 g_ds가 작은것이 바람직하다. 

 

 > g_ds는 Vt Roll Off는 출력 컨덕턴스와 밀접한 관련이 있다. 

 

 > Vds 증가함에 따라 Vt가 감소한다. 

 

 > Drain과 Channel의 Coupling에 의하 출력 컨덕턴스가 발생한다. 

 

 > Drain 전압이 높고 Channel에 대한 Drain 전압의 영향력이 높으면 g_ds가 증가한다.

 

 > L이 작은 MOSFET엣 g_ds가 크고 Vt Roll Off를 억제하기 위해 설계에서 g_ds가 줄이고 전압 이득을 개선한다. 

 

 > 더 는 L의 설계에서도 g_ds에 영향을 주는 또 다른 메커니즘은 채널 길이 변조이다. 

 

 > Drain 전압이 커지고 Drain 근처 Channel의 유효길이가 짧아진다. 

 

 > Channel 길이와 반비례인 Id는 Vds에 따라 포화보다 더 증가한다. 

 

 > 이는 더 큰 L과 Tox(Ox 두께), Xj(Source/Drain 두께), Wdep(공핍 두께)에 따라 억제될 수 있다.