3.1 소자 제조에 대한 서론 (Fabrication Introduction)

3.1.1 소자 제조 

 

 > 대부분의 반도체 제조 회사에서 Si 웨이퍼를 구매하는 것으로 제조 공정이 시작된다. 

 

 > 큰 반도체 Fab은 매다 Si 웨이퍼 40k 이상 처리할 수 있다. 

 

 > 반도체 소자 제조 공정의 간단히 한다면 

   a) SiO2 형성 

   b) 산화물의 선택적 제거 

   c) 웨이퍼 표면에 도펀트 주입 

   d) 웨이퍼 내로 도펀트  확산 

 

 > 이 공정들과 다른 제조 단계를 조합하면 반도체 소자와 회로를 만들 수 있다. 

 

 > 웨이퍼 기판 위 층층이 회로를 만드는 방법을 평면 기술(Planar Technology)이라고 한다. 

 

 > 평면 기술의 이점은 Si 웨이퍼 전반에 적용이 된다는 것이다. 

 

 > 정밀도를 높여서 동일 웨이퍼 크기에 많은 회로 Chip들을 만드는 것은 큰 경제적 이점을 가진다. 

 

그림 1. 실리콘 소자 제조 공정

 

3.1.1 Fabrication of Devices

 > The fabrication process often begins with purchasing Si wafers from most semiconductor manufacturing companies.

 > Large semiconductor fabs can process over 40,000 Si wafers.

 

 > A simplified overview of semiconductor device fabrication process includes:

  a) Formation of SiO2.

  b) Selective removal of oxides.

  c) Implantation of dopants onto the wafer surface.

  d) Diffusion of dopants into the wafer.

 

 > By combining these processes and other manufacturing steps, semiconductor devices and circuits can be created.

 

 > The technique of fabricating circuits layer by layer on the wafer substrate is called Planar Technology.

 

> The advantage of planar technology is its applicability across the entire Si wafer.

 

 > Achieving precision and producing multiple circuit chips of the same size on a single wafer provides significant economic benefits.

 

Figure 1. Fabrication process of devices

Reference 

-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)