'2024/09/18 글 목록

7.8.0 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET > MOSFET이 작아지면서 Vt Roll에 덜 민감한고 기존 소자보다 축소화할 수 있는 소자가 필요하다. > 그러기 위해선 Gate와 Channel 사이의 Capacitance를 최대화하고 > Channel과 Drain 사이 Capacitance를 최소화하여야 한다. > Gate와 Channel 사이의 Capacitance를 키우기 위해선 Tox(Oxide 두께)를 얇게해야 한다. > Tox를 무한정 얇게 만들 수 없다. > 공정의 어려움도 있지만 Gate와 Body 사이에 Leakage가 발생할 수 있다. > 또한, 전자의 제어는 Si 표면에서 가능하고 표면에서 떨어진 곳에선 다른 누설전류 경로가 있다. > 이런 ..