'2024/09/19 글 목록

7.8.1 UTB MOSFET과 SOI > Channel 표면에서 떨어진 곳에서 누설 전류 경로가 존재한다. > 이는 Gate보다 Drain 영향이 클 수 있어 Control이 어렵다. > 이를 해결하기 위해서 UTB(Ultra Thin Body)를 이용한다. > Oxide위에 얇은 Silicon Body를 UTB를 구현할 수 있다. > Silicon Body는 10nm 수준의 박막이다. > Body가 얇기 때문에 Body 대부분이 Channel 표면과 가깝다. > 따라서 Channel 표면에서 떨어진 누설 전류 경로가 없다. > 또한, Wdep(공핍층), Xj(Drain/Source 두께)가 얇아지는 효과를 가진다. > 이는 Channel과 Drain 사이의 Capacitan..