DWD 반도체 이야기

7.5.0 Wdep을 줄이는 방법 > MOSFET L이 작아지면 Vt Roll Off가 발생한다.   > 짧아진 L을 사용할 수 있게 하기 위해선 Vt Roll Off를 제어해야 한다.   > Wdep를 작게 하면 Vt Roll Off를 제어할 수 있다.   > Wdep 는 기판 농도 Nsub의  1/(Nsub)^-1에 비례한다.   > 기판 농도를 높여서 Wdep를 줄 수 있다.  > 아래 식에서 기판 농도를 Wdep로 표현한 식에서 보면 Tox 또한 Vt  Roll Off를 제어할 수 있는 Parameter이다.   > Tox 또한 작아져야 짧은 L을 유지할 수 있다.   > Wdep를 줄일 수 있는 다른 방법은 역경사 채널 도핑 프로파일을 도입하면 된다.   > 아래는 도핑의 농도가 높게 표면엔 농..

7.3.0  Vt 감소 (roll off) > Vt가 너무 작으면 Ioff 가 증간한다.   > MOSFET의 L이 작으면 Vt가 떨어져 L이 너무 작으면 Ioff가 증가한다.   > 따라서 작은 L에서 Vt를 보상하기 위해 Body Doping 하여 Vt를 올릴 수 있다.   > Vt가 L이 감소함에 따라 감소하는 설명을 EBD(Energy Band Diagram)으로 설명할 수 있다.    > 장채널에 비해 단 채널은 Ec의 최대 높이가 낮다.  > 따라서 소스에서 전자들이 넘어갈 Barrier가 낮기 때문에 작은 전압이 가해져도 전자들이 충분히 넘어갈 수 있다.  > Capacitance로 설명이 가능하다.   > 단채널이 되면 거리가 d가 짧아지기 때문에 Drain 쪽 Cd가 증가한다.   > 식..