DWD 반도체 이야기

7.6.0 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET > Source/Drain 모식도를 보면 N+ 와 Channel 사이에 약하게 도핑된 연장 부분이 존재한다.   > LDD(Lightly Doped Drain)으로 불리며 Mainly HCI(Hot Carrier Injection)을 예방하기 위해 존재한다.   > 해당 도핑된 영역을 만들어주기 위해 Gate 양 옆에 유전체 Spacer가 형성되어야 한다.   > 유전체 Spacer 형성 전에 LDD와 Drain/Source에 N 도핑해준다.   > Spacer 형성 후 N 도핑위에 더 높은 농도로 도핑을 해주어 LDD와 Source/Drain의 농도 차이를 만든다.   > Vt Roll Off 를 줄이기 위해 Source/Drain 접합 깊이가 얕..

6.10.0 기생 소오스 드레인 저항  > MOSFET의 기생 저항은 Ids 식의 Vgs를 Rs * Ids 만큼 줄인다.     > Idsat 식은 다음과 같이 바뀌고 Idsat0은 Rs가 없을 때 전류이다.  > Idsat은 기생 저항에 의해 많이 줄어들 수 있고 보통 유전체 스페이서 아래의 얇은 확산 영역에 의해 발생한다. > 스페이서 아래 Doping 된 영역을 말하고 보통 두 번 Doping 해줘서 구성하는 LDD(Light Doped Drain)이다.  > LDD의 목적은 Drain 근처에서 Hot Carrier Injection을 방지하지만 Drain/Source보다 Doping 농도가 낮기 때문에 저항이 더 크다.  > 저항이 더 큰 이유는 Doping 농도가 적은만큼 Channel에 기여하..