6.10 기생 소오스-드레인 저항

6.10.0 기생 소오스 드레인 저항 

 > MOSFET의 기생 저항은 Ids 식의 Vgs를 Rs * Ids 만큼 줄인다. 

그림 6.16 Source–drain series resistance

 

 

 

 > Idsat 식은 다음과 같이 바뀌고 Idsat0은 Rs가 없을 때 전류이다. 

 

> Idsat은 기생 저항에 의해 많이 줄어들 수 있고 보통 유전체 스페이서 아래의 얇은 확산 영역에 의해 발생한다. 

> 스페이서 아래 Doping 된 영역을 말하고 보통 두 번 Doping 해줘서 구성하는 LDD(Light Doped Drain)이다. 

 > LDD의 목적은 Drain 근처에서 Hot Carrier Injection을 방지하지만 Drain/Source보다 Doping 농도가 낮기 때문에 저항이 더 크다. 

 > 저항이 더 큰 이유는 Doping 농도가 적은만큼 Channel에 기여하는 Carrier가 적어지기 때문이다. 

 > 기생 저항 외 ids에 기여하는 저항은 접촉 저항이다. 

 > Drain/Source에 Metal로 전기적 Contact을 만들어주며 일반적으로 Barrier Metal Ti을 사이에 형성하여 Si과 반응하게 하는 Silicide 막을 만들어준다. 

 > Silicide는 Ohmic하게 만들어줘서 면저항과 접촉 저항을 줄인다. 

Reference 

-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)