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7.8.2 FinFET 멀티게이트 MOSFET > Channel 표면 아래 누설 경로를 제거하는 또 다른 방법은 Mulit Gate이다. > Channel 양쪽에 Gate를 형성하여 Gate보다 먼 곳에서 누설전류가 생기는 것을 방지한다. > 이는 Wdep(공핍 두께) 와 Xj(Source/Drain 두께)를 줄여 Vt Roll Off를 억제할 수 있다. > MOSFET Lg가 수 nm까지 줄일 수 있다. > 양 쪽의 Gate가 동일한 전압이 가해지기 때문에 Body가 완전 공핍되며 > Ioff는 아주 작다. > 또한 Gate 개수에 따라서 Channel이 형성되어 Ion은 더 커진다. > Gate의 개수가 많아질수록 좋다. > Body 3면을 둘러싸도록 Si를 Fin 구조를..