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4.2.1 공핍층의 전계와 전위 그리고 폭 > 포아송 방정식(Poisson's Eqeuation)을 이용하면 공핍층(Depletion Layer)의 전계와 전위를 구할 수 있다. > 포아송 방정식에 N, P type 구간을 나눠서 적분하면 전계를 구할 수 있다. > xp의 크기는는 P type 반도체의 공핍 층의 폭이며 xn의 크기는 N type 반도체의 공핍층의 폭이다. > 공핍층의 폭은 도펀트 농도에 반비례한다. > 도핑을 많이 한 쪽의 폭이 더 좁아진다. > 공핍층은 상대적으로 도핑을 적게 한 쪽으로 침투가 많이 되고 강하게 도핑된 물질의 공핍층의 폭은 무시될 수 있다. > 금속에는 공핍층이 없다. > 공핍층의 전계는 포아송 방적식을 이용해 구한 전계 E를 한 번더 적분하여 구할 수 있다. > V는..