6.1 MOSFET 소개 (Introduction to the MOSFET)
6.1.0 MOSFET 소개 > MOSFET 구조는 MOS Capacitor 구조에 정공을 공급하는 소스(Source)와 정공을 빨아내는 드레인(Drain) 두 개에 PN 접합이 존재한다. > FET(Field Effect Transistor)는 게이트가 산화막을 통해 전기장이 가해져 트랜지스터를 켜거나 끄는 동작을 할 수 있다. > 트랜지스터는 신호원에 대한 높은 입력 저항, 낮으 소모 전력 그리고 많은 전류를 공급할 수 있는 이점을 가진 소자이다. > 그림 6.1의 소스/드레인 옆의 빗금친 부분은 Shallow Trench Isolation이다. > 이는 산화막으로 되어있으며 소스/드레인의 N+, P+에서 다른 소자로 전류가 누설되지 않도록 한다. > MOSFET IV 특성을 보면 게이트 전압에 따라..
Semiconductor(반도체)
2024. 1. 8. 09:32
반응형
공지사항
최근에 올라온 글
최근에 달린 댓글
- Total
- Today
- Yesterday
링크
TAG
- Thermal Noise
- Laser
- fermi level
- 양자 웰
- Donor
- 열전자 방출
- Acceptor
- Optic Fiber
- EBD
- Fiber Optic
- 쇼트키
- Solar cell
- Energy band diagram
- Pinch Off
- 반도체
- Depletion Layer
- 문턱 전압
- Semicondcutor
- pn 접합
- Charge Accumulation
- semiconductor
- CD
- Blu-ray
- 광 흡수
- C언어 #C Programming
- channeling
- PN Junction
- Reverse Bias
- Diode
- MOS
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | |||||
3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
글 보관함