'Transient Enhanced Diffusion' 태그의 글 목록

3.6.1 도펀트 확산 > Dopant를 Si에 주입은 일반적으로 이온 임플랜테이션으로 진행된다. > 임플랜테이션 후 더 깊게 Dopant를 밀어 넣어야 하는 경우도 생긴다. > 이 때 확산(Diffusion)을 이용한다. > 이 때 확산은 Anneal(열처리)을 통해서 확산이 진행되고 원하지 않는 깊이까지 확산될 수 있다. > 확산 층의 두께를 접합 깊이(Junction Depth)이라고 한다. > 확산이 된 Dopant의 농도는 가우시안 분포를 형성한다. > 확산 비율은 온도가 상승하면서 증가한다. > 확산 온도는 보통 900°C~1200°C 범위에 있다. > Dopant 기체/고체 증착 확산에서느 소스를 공급하는 공정 단계를 Predepostion이라고 한다. > 소스가 차단되고 소스가 Diffus..