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5.2 표면 축적 > Vg가 Vfb보다 음의 값을 가지면 그림 1과 같이 Gate 쪽의 밴드 다이어그램은 위로 밀려난다. > (에너지 밴드 다이어그램을 그릴 때 일반적으로 정확한 스케일은 따르지 않는다) > Ec가 위로 휘면 ∅_s는 음의 값을 갖고 아래로 휘면 양의 값을 갖는다. > Vox는 산화막을 가로질러 형성되는 전위차이다. > SiO2의 에너지 밴드가 Gate를 향해 위로 올라가는 기울기를 가지면 Vox는 음의 값, 반대의 경우 양의 값을 갖는다. > Si 표면의 Ev값이 Ef에 가깝기 때문에 포면에서의 정공 농도 p_s는 Bulk에서의 정공 농도 Na 보다 높다. > p_s을 수식적으로 표현하면 다음과 같다. > ∅_s는 -100~200mV 정도로 p_s >> Na으로 Si 표면에 매우 많은 ..