DWD 반도체 이야기

4.2.1 공핍층의 전계와 전위 그리고 폭 > 포아송 방정식(Poisson's Eqeuation)을 이용하면 공핍층(Depletion Layer)의 전계와 전위를 구할 수 있다. > 포아송 방정식에 N, P type 구간을 나눠서 적분하면 전계를 구할 수 있다. > xp의 크기는는 P type 반도체의 공핍 층의 폭이며 xn의 크기는 N type 반도체의 공핍층의 폭이다. > 공핍층의 폭은 도펀트 농도에 반비례한다. > 도핑을 많이 한 쪽의 폭이 더 좁아진다. > 공핍층은 상대적으로 도핑을 적게 한 쪽으로 침투가 많이 되고 강하게 도핑된 물질의 공핍층의 폭은 무시될 수 있다. > 금속에는 공핍층이 없다. > 공핍층의 전계는 포아송 방적식을 이용해 구한 전계 E를 한 번더 적분하여 구할 수 있다. > V는..

4.1.0 PN 접합의 기본 이론 > PN 접합은 P type 반도체와 N type 반도체를 붙인 것이다. > P, N type 반도체 간의 캐리어 농도차이로 인해 접합 후 확산이 이루어지게 된다. > 접합부분에 전자와 정공이 Recombination되어 캐리어가 거의 없는 공핍층(Depletion Layer)가 만들어진다. > 공핍층에는 이온들의 전하 차이로인해 내부 전압이 생기게되고 PN 방향의 반대로 형성된다. > PN 방향(정방향)으로 내부 전압보다 높은 전압이 가해지면 전류가 흐른다. > 반대로 NP(반대방향)으로 전압이 가해지면 공핍층이 커지고 내부 전압이 커지면서 전류가 흐르지 못하게 된다. > PN 접합은 전류가 PN 방향으로만 흐르는 정류 특성을 가지며 이러한 소자를 다이오드(Diode)..