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4.1.0 PN 접합의 기본 이론 > PN 접합은 P type 반도체와 N type 반도체를 붙인 것이다. > P, N type 반도체 간의 캐리어 농도차이로 인해 접합 후 확산이 이루어지게 된다. > 접합부분에 전자와 정공이 Recombination되어 캐리어가 거의 없는 공핍층(Depletion Layer)가 만들어진다. > 공핍층에는 이온들의 전하 차이로인해 내부 전압이 생기게되고 PN 방향의 반대로 형성된다. > PN 방향(정방향)으로 내부 전압보다 높은 전압이 가해지면 전류가 흐른다. > 반대로 NP(반대방향)으로 전압이 가해지면 공핍층이 커지고 내부 전압이 커지면서 전류가 흐르지 못하게 된다. > PN 접합은 전류가 PN 방향으로만 흐르는 정류 특성을 가지며 이러한 소자를 다이오드(Diode)..