DWD 반도체 이야기

6.6.1 기본적인 MOSFET IV 모델 > MOSFET에 Vds를 걸어줬을 때 Ids 값은 다음과 같다. > W은 채널 폭, μ_ns는 Mobility, Vds/L은 채널 평균 전계이다. > 그리고 Ids는 Qinv라고 볼 수 있는 Coxe(Vgs-Vt-m/2 Vds)에 비례한다. > Vds가 매우 작으면 m/2 Vds는 무시될 수 있으며 Ids는 Vds에 비례하는 저항처럼 동작한다. > Vds가 커지면 평균 Qinv가 감소한다. (Drain 쪽 Vc는 Vd) > Qinv 감소하면 Vds에 의해 커지는 Ids (dIds/dVds)가 0이 되는 Vds가 존재한다. > 특정 Vds를 Vdsat이라고 하며 IV 특성 곡선에서 Vds Vdsat이면 Saturation 영역으로 나눠진다. > Ids 식에 Vd..

6.1.0 MOSFET 소개 > MOSFET 구조는 MOS Capacitor 구조에 정공을 공급하는 소스(Source)와 정공을 빨아내는 드레인(Drain) 두 개에 PN 접합이 존재한다. > FET(Field Effect Transistor)는 게이트가 산화막을 통해 전기장이 가해져 트랜지스터를 켜거나 끄는 동작을 할 수 있다. > 트랜지스터는 신호원에 대한 높은 입력 저항, 낮으 소모 전력 그리고 많은 전류를 공급할 수 있는 이점을 가진 소자이다. > 그림 6.1의 소스/드레인 옆의 빗금친 부분은 Shallow Trench Isolation이다. > 이는 산화막으로 되어있으며 소스/드레인의 N+, P+에서 다른 소자로 전류가 누설되지 않도록 한다. > MOSFET IV 특성을 보면 게이트 전압에 따라..