5.7 산화막 전하 Vfb와 Vt 변경 (Oxide Charge)
5.7.0 산화막 전하 Vfb와 Vt 변경 > MOS 이론에선 Gate 절연막 Ox 내에 존재하는 전하들은 무시하였지만 실제론 그렇지 않다. > 그림 1. (a)에서 산화막 내에 전하가 없으면 평탄 밴드 전압 Vfb는 Gate와 Si의 일함수 차이이다. > 산화막 내 전기장을 V = -Qox/Cox 만큼 전위차를 발생시킨다. > 그림1. (b)는 Si-SiO2 표면에 산화막 전하가 존재하면 Vfb는 Vfb0와 차이가 발생한다. > 표면에 있는 전하로 인해 Band가 Flat 하기 위해서는 그만큼 전압이 가해져야 한다. > 산화막 내의 전하들은 Vfb 값이 변화시키고 이는 Vt에도 변화를 준다. > 산화막 전하는 몇 가지 종류가 있다. 1. Fixed 산화막 전화 2. Interface Trapped 산화..
Semiconductor(반도체)
2023. 12. 10. 10:01
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