DWD 반도체 이야기

6.3.3 HMET > MOSFET 표면의 도펀트들은 불순물 산란을 일으켜서 전자 이동도가 열화 된다.   > MOSFET은 전도 채널을 만들기 위해 도핑에 의지하지 않는다.  > GaAs Sub으로 MOSFET 처럼 도핑에 의존하지 않고 채널을 형성할 수 있다.   > GasAs 기판 위 GaAlAs 에픽택시 층을 길러서 MOS 구조로 만들 수 있다.   > GaAlAs는 GaAs보다 큰 에너지 밴드갭 Eg를 갖기 때문에 산화막 같은 역할을 한다.   > 채널 전자는 N+ Source에서 공급된다.   > 계면은 에픽텍시 구조로 되어있어 Si-SiO2 표면보다 더 매끄러워 표면 충돌에 의한(표면 산란) 이동도 저하가 없다.   > 해당 소자를 HEMT(High Electron Mobility Trans..

6.3.2 GaAs MESFET > 캐리어 이동도가 크면 캐리어는 더 빠르게 움직이고 트랜지스터는 고속으로 작동할 수 있다.  > 속도를 증가시킬 수 있는 방법 중 Si 대신 이동도가 높은 물질 Ge이나 Strained Si 사용하는 것이다.   > 단결정 Ge나 SiGe는 단결정 Si-Sub 위에 에피택시 방법으로 기를 수 있다.   > 응용 소자에 따라서 NFET필요하고 정공의 이동도는 중요하지 않을 수 있다.   > MOSFET은 반도체~유전체 계면에 많은 Trap이 있기 때문에 해당 조건을 구현하기 어렵다. 물질 별 모빌리티SiGeGaAsInAs𝝁_𝒏14003900850030,000𝝁_𝒑4701900400500  > GaAs는 Si보다 높은 이동도를 가지고 있다.  > MOS 게이트 대신 ..