6.3 표면 이동도와 고이동도 FET (Surface Mobilities and High-Mobility FETs) (3)

6.3.3 HMET > MOSFET 표면의 도펀트들은 불순물 산란을 일으켜서 전자 이동도가 열화 된다.   > MOSFET은 전도 채널을 만들기 위해 도핑에 의지하지 않는다.  > GaAs Sub으로 MOSFET 처럼 도핑에 의존하지 않고 채널을 형성할 수 있다.   > GasAs 기판 위 GaAlAs 에픽택시 층을 길러서 MOS 구조로 만들 수 있다.   > GaAlAs는 GaAs보다 큰 에너지 밴드갭 Eg를 갖기 때문에 산화막 같은 역할을 한다.   > 채널 전자는 N+ Source에서 공급된다.   > 계면은 에픽텍시 구조로 되어있어 Si-SiO2 표면보다 더 매끄러워 표면 충돌에 의한(표면 산란) 이동도 저하가 없다.   > 해당 소자를 HEMT(High Electron Mobility Trans..
Semiconductor(반도체) 2024. 1. 16. 20:52
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