DWD 반도체 이야기

4.8.0 정 바이어스 된 PN 접합에서 과잉 캐리어 > 정 바이어스된 PN 접합에서 과잉 캐리어를 알아낼 수 있다. > PN 접합에서 공핍층의 폭은 매우 작다고 가정하고 (xp, xn은 거의 0) > 소수 캐리어 정공에 대한 방정식은 다음과 같으며 (4.7 참고. 2023.10.04 - [Semiconductor(반도체)] - 4.7 전류 연속 방정식) 4.7 전류 연속 방정식 4.7.0 전류 연속 방정식 > 중성 N, P 영역 내부의 소수 캐리어 농도는 전류 연속 방정식에 의해 결정된다. > [그림 1] 과 같이 상자가 있다고 가정해본다. > A * ∆x * p 는 상자 내의 정공 수 이다. (A : debonair91.tistory.com > 경계 조건 첫 번째는 정공이 N 쪽으로 무한으로 가면 0..

4.6.0 정 바이어스 캐리어 주입 > PN 접합에 정 바이어스(PN 방향으로 전압)를 걸어주면 에너지 장벽 높이가 ∅-V로 감소된다. > 이는 PN 접합 내부에서 발생한 Built In Voltage에 의한 Drift 전계를 축소시킨다. > Drifit와 Diffusion의 평형이 깨지게 되고 전자들이 N 쪽에서 P로 이동하게 된다. > P쪽의 소수 캐리어들이 공급이 되기 때문에 이를 소수 캐리어 주입이라고 한다. > 정공은 전자와 반대로 P에서 N으로 주입된다. > 따라서 장벽이 높았을 때와 비교해보면 낮았을 때 더 많은 수의 전자와 정공이 경계면 근처 xp, xn에 존재하게 된다. (그림 2) > 공핍층이 작아지면서 Efn은 xp까지 일정하게 유지된다고 가정하면 xp의 전자 농도를 구할 수 있다. ..