DWD 반도체 이야기

6.2.0 상보형 MOS(CMOS 기술) > MOSFET의 기본적인 공정 순서는 다음과 같다.   > Trend 영역 Etch - 산화막 CVD - CMP 평탄화 - 산화막 &  Poly Si 증착 - Gate Photo Patterning - Source Drain IIP.   > 그림 6.3 (a)는 N Channel MOSFET 또는 NFET, NMOS라고 한다.   > NFET의 전도되는 채널이 전자로 구성되어 있어 N 형이라고 하며 PFET은 정공으로 되어있어 P 형 채널의 소자이다.   > 게이트와 드레인의 가해지는 전압은 Vg, Vd이며 0V와 공급전압 Vdd 사이의 범위를 갖는다.   > NFET의 Body는 0V가 걸리고 PFET의 Body는 Vdd에 연결되어 PN 접합은 항상 역전압으로..

5.10.0 CCD 및 CMOS 화상기 > 화상기(Image Sensor)는 광학적 상을 전기적 신호로 변경해 주는 소자이다. > CCD 및 CMOS 화상기는 디지털 카메라에 주로 사용된다. > CCD 화상기는 성능이 우수하고 CMOS 화상기는 성능이 다소 떨어지지만 가격 경쟁력이 있다. 5.10.1 CCD (Charge Coupled Device) > CCD는 전하 결합 소자를 의미한다. > 하나의 MOS 커패시터가 어떻게 빛에 반응하는지 그림 5.14를 보면서 생각할 수 있다. > 그림 5.14 (a)는 MOS 커패시터에 바이어스를 인가하여 깊은 공핍 상태를 나타낸다. > 깊은 공핍 조건은 Vg>Vt인 전압은 순간적으로 가하면 얻을 수 있다. > Source/Drain 역할을 하는 N+영역이 없다면 ..