5.1 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압(Flat Band Condition)

5.1 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압 > MOS 밴드 다이어그램을 그릴 때 실리콘 산화막을 중간에 두고 Gate와 Body를 각각 왼쪽과 오른쪽에 그리는 것이 일반적이다. > MOS 에너지 밴드 기본 특성을 잘 보기 위해 평탄 밴드 조건 하에어서 밴드 다이어그램을 그리는 것이 필요하다. > 이러한 조건은 Gate에 전압을 가하여 왼편의 밴드 다이어그램을 상승시켜 형성할 수 있다. > 에너지 밴드가 수평일 때 기판의 표면 전기장의 크기는 0이며 산화막 내의 전기장 크기도 0이다. > SiO2의 Ec와 Ev가 수평으로 그려짐을 의미한다. > E0는 진공 레벨을 의미하며 해당 물질이 외부에서 전자를 에너지 상태를 나타낸다. > SiO2의 E0는 Ec보다 0.95eV 높으며 Si는4.05eV보다 높다. > ..
Semiconductor(반도체) 2023. 12. 1. 19:31
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