6.15 MOSFET 잡음2

6.15.2 MOSFET 열 잡음

 > MOSFET의 열 잡음은 (Thermal Noise) 채널의 저항에 의해 발생한다. 

 

 > 채널 잡음 전압은 Gate Capacitor에 의해 전류가 유도된다. 

 

 > 채널 잡음 전류가 게이트를 통해 들어오게 된고 Device 내부 Transconductance에 의해 곱해져서 출력단에 두 번째 잡음 전류를 만들게 된다. 

 

 > 이러한 효과는 그림 6.25 (b)의 소스에서 채널 잡음 전압을 나타냄으로써 모델링 된다.

 

 > 실제 잡음 전압이 소스에서 발생한 것이 아닌 채널을 통해 배분된 것으로 보면 된다. 

 

 > Gate 잡음과 채널 잡음 사이에 상쇄되는 부분이 있어 Gate 임피던스를 최적화하면 잡 음을 최소화할 수 있다. 

 

 >  그림 6.25 (c)처럼 소스, 드레인 그리고 기판 기생 저항들도 열잡음을 발생시킨다. 

 

 > MOSFET 레이아웃을 통해 줄일 수 있다. (Multi Finger Layout)

 > 게이트 저항을 줄이는 것이 중요한 이유는 게이트 저항에서 발생하는 열잡음이 Transconductance 만큼 증폭되기 때문이다. 

 

그림 6.25 (a) Each segment of the channel may be considered a resistor that contributes thermal noise. (b) The noise current is added to the normal MOSFET current as a parallel current source. The noise voltage is multiplied by the transconductance into another component of noise current. (c) Parasitic resistances also contribute to the thermal noises.