티스토리 뷰
반응형
5.0 MOS 커패시터
> MOS는 Metal Oxide Semiconductor의 약자이다.
> 반도체 기판 위에 SiO2와 같은 절연막, Gate라고 부르는 금속 단자로 구성된다.
> 70년대 이전엔 Gate가 알루미늄 같은 금속 물질로 만들어지는 것이 일반적이었다.
> 70년 이후엔 고농도 이온이 주입된 폴리 실리콘을 Gate로 사용한다.
> 그 이유는 높은 온도에서 SiO2와 반응하지 않아 열적 안정성을 지니기 때문이다.
> 2008년 이후엔 다시 금속 Gate와 향상된 유전물질로 바꾸는 추세이다.
> MOS 자체로 널리 쓰이지 않고 MOS Transistor의 일부로 형성하여 기능하게 된다.
Reference
-. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)
반응형
'Semiconductor(반도체)' 카테고리의 다른 글
5.2 표면 축적(Surface Accumulation) (0) | 2023.12.02 |
---|---|
5.1 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압(Flat Band Condition) (0) | 2023.12.01 |
4.21 옴성 접촉(Ohmic Contact) (0) | 2023.11.29 |
4.20 양자 역학적 터널링(Quantum Mechanical Tunneling) (0) | 2023.11.28 |
4.19 쇼트키 다이오드 응용(Schottky Diode Application) (0) | 2023.11.27 |
반응형
공지사항
최근에 올라온 글
최근에 달린 댓글
- Total
- Today
- Yesterday
링크
TAG
- Reverse Bias
- Depletion Layer
- 열전자 방출
- C언어 #C Programming
- Charge Accumulation
- pn 접합
- Acceptor
- Pinch Off
- Energy band diagram
- 문턱 전압
- semiconductor
- Semicondcutor
- EBD
- fermi level
- Optic Fiber
- Solar cell
- Laser
- 양자 웰
- Thermal Noise
- 광 흡수
- PN Junction
- Donor
- Blu-ray
- channeling
- 쇼트키
- Fiber Optic
- CD
- Diode
- 반도체
- MOS
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | |||||
3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
글 보관함