6.12 속도 오버슛과 소오스 속도 한계
6.12.0 속도 오버슛과 소오스 속도 한계 > MOSFET에 전압이 더 크게 가해질수록 Id는 증가하다 Saturation 된다. > Drain 전압이 높아지면서 Channel이 끊어지는 Pinch Off 현상에 의해 그렇다. > 하지만 Qinv=0이면 전하의 속도가 무한대여야 하지만 실제로 그렇지 않다. > Pinch Off 말고 다른 설명이 필요한데 이는 커진 Field에 의해 에너지가 높아진 캐리어가 격자와 충돌하면서 에너지를 잃고 격자들이 Scattering 되면서 캐리어가 방해받기 때문이다. > 1회의 출동이 일어나는 시간을 mean free time 이라고 한다. > 1회 충돌이 일어나기까지의 거리를 mean free path라고 한다. > 만약 Channel의 길이가 충..
Semiconductor(반도체)
2024. 5. 27. 21:05
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