
7.1.2 스트레인 실리콘과 또 다른 혁신 > 세대가 증가할수록Ion은 증가한다. > 90nm 기술 노드에서 급격한 Ion 개선을하였고 이는 Strined Silicon 기술 덕분이다. > 반도체에 기계적 Strained을 만들어주면 캐리어의 이동도는 증가하거나 감소한다. > Strained Silicon은 Silicon의 격자 상수를 바꾸고 슈뢰딩거 파동방정식에 주어진 E-K 관계를 바꾼다. > E-K 관계는 캐리어의 유효질량과 이동도를 결정한다. > Strained Silicon을 만드는 방법은 여러가지가 있고 그 중하나는 Ge를 이용하는 방법이다. > Hole의 이동도는 채널에 압축하는 형태의 Strain이 주어질 때 증가한다. > Si Sub에 Gate가 있으면 양 쪽에..
Semiconductor(반도체)
2024. 8. 16. 09:20
반응형
공지사항
최근에 올라온 글
최근에 달린 댓글
- Total
- Today
- Yesterday
링크
TAG
- pn 접합
- 양자 웰
- Pinch Off
- Acceptor
- MOS
- Depletion Layer
- Laser
- Thermal Noise
- Donor
- 문턱 전압
- Solar cell
- Diode
- CD
- PN Junction
- Optic Fiber
- Charge Accumulation
- Blu-ray
- Semicondcutor
- channeling
- Energy band diagram
- Reverse Bias
- Fiber Optic
- 열전자 방출
- 반도체
- EBD
- fermi level
- semiconductor
- 쇼트키
- 광 흡수
- C언어 #C Programming
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
27 | 28 | 29 | 30 |
글 보관함